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数量:7 |
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| 文档 |
Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 20A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 260 mOhm @ 10A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 72nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2250pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 260W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 包装材料 | Tube |
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